在电子电路设计中，晶振的时钟信号稳定性直接影响系统性能。分布电容（又称杂散电容）作为电路板上导线、元件布局与绝缘介质形成的非意图寄生电容，是导致晶振频率偏移和信号劣化的关键因素之一。

分布电容对晶振的影响机制

   分布电容本质上由PCB导线间电场耦合形成，其容值通常在皮法（pF）量级，它对晶振的影响主要体现在三方面：

1. 频率偏移

    晶振的实际振荡频率由负载电容CL决定，而CL包含外部匹配电容、芯片引脚电容及分布电容。分布电容会改变CL的有效值，导致输出频率偏离标称值。例如当CL标称值为12pF时，仅2pF的分布电容即可造成百万分之百（100ppm）的频率偏差。

2. 能量损耗增加 

    分布电容在交变电场中形成无功电流通路，消耗振荡回路能量，降低晶振的品质因数（Q值）。实验表明，Q值下降将直接导致相位噪声增大，时钟抖动加剧。

3. 谐波干扰风险 

     高频时钟信号通过分布电容耦合至邻近线路，可能激发寄生振荡或引入谐波干扰，严重时造成数字逻辑误触发。

     分布电容虽无法彻底消除，但通过系统性优化可将其影响抑制在容许范围内。高频电路的成功往往在细节处显现——对皮法级电容的精准掌控，正是保障全球数十亿电子设备时钟心跳稳健的关键所在。